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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD18NF25
STD18NF25 Image
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STD18NF25 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD18NF25
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD18NF25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ST(B,D)18NF25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38004

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Anzahl

Spezifikation

STD18NF25 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD18NF25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD18NF25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer STD18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD18NF25.

Produkteigenschaften STD18NF25 STD19N3LLH6AG STD18NF03L STD18N55M5
Artikelnummer STD18NF25 STD19N3LLH6AG STD18NF03L STD18N55M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 110W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 30 V 30 V 550 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Grundproduktnummer STD18 STD19 STD18 STD18
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.5 nC @ 10 V 3.7 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 5 V 31 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V 321 pF @ 25 V 320 pF @ 25 V 1260 pF @ 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II Automotive, AEC-Q101, STripFET™ STripFET™ II MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 8.5A, 10V 33mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 8.5A, 10V 192mOhm @ 8A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STD18NF25 Datenblatt PDF

Laden Sie STD18NF25 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD18NF25 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 07/Nov/2022.pdf
Datenblätter
ST(B,D)18NF25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD18NF25

STMicroelectronics
32D-STD18NF25

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