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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD2NK90ZT4
STD2NK90ZT4 Image
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STD2NK90ZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD2NK90ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD2NK90ZT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STP2NK90Z, STD2NK90Z(1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 43440

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Spezifikation

STD2NK90ZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD2NK90ZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD2NK90ZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.05A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Tc)  
Grundproduktnummer STD2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD2NK90ZT4.

Produkteigenschaften STD2NK90ZT4 STD30NF03LT4 STD30NE06LT4 STD2NK90Z-1
Artikelnummer STD2NK90ZT4 STD30NF03LT4 STD30NE06LT4 STD2NK90Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.05A, 10V 25mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 15A, 10V 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 41 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK I-PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 10V
Serie SuperMESH™ STripFET™ II STripFET™ SuperMESH™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 50W (Tc) 55W (Tc) 70W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 2.1A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 30 V 60 V 900 V
Grundproduktnummer STD2 STD30N STD30N STD2
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 2370 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V

STD2NK90ZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD2NK90ZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD2NK90ZT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Datenblätter
STP2NK90Z, STD2NK90Z(1).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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