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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD30PF03L-1
STD30PF03L-1 Image
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STD30PF03L-1 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD30PF03L-1
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD30PF03L-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STD30PF03LT4/-1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4650

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Spezifikation

STD30PF03L-1 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD30PF03L-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD30PF03L-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer STD30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD30PF03L-1.

Produkteigenschaften STD30PF03L-1 STD35N3LH5 STD30NF06 STD30NF06L
Artikelnummer STD30PF03L-1 STD35N3LH5 STD30NF06 STD30NF06L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics UMW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 6 nC @ 4.5 V 58 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse I-PAK DPAK DPAK TO-252 (DPAK)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 12A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 15A, 10V 29mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 60 V
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 35W (Tc) 70W (Tc) 55W (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 35A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 25 V 725 pF @ 25 V 1750 pF @ 25 V 1562 pF @ 25 V
Grundproduktnummer STD30 STD35 STD30N -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie STripFET™ II STripFET™ V STripFET™ II UMW

STD30PF03L-1 Datenblatt PDF

Laden Sie STD30PF03L-1 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD30PF03L-1 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STD30PF03LT4/-1.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD30PF03L-1

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32D-STD30PF03L-1

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