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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD3N95K5AG
STD3N95K5AG Image
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STD3N95K5AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD3N95K5AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD3N95K5AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD3N95K5AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40890

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Anzahl

Spezifikation

STD3N95K5AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD3N95K5AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD3N95K5AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer STD3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD3N95K5AG.

Produkteigenschaften STD3N95K5AG STD3NK100Z STD3N80K5 STD3LN62K3
Artikelnummer STD3N95K5AG STD3NK100Z STD3N80K5 STD3LN62K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Grundproduktnummer STD3 STD3NK100 STD3N80 STD3LN62
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5 SuperMESH™ SuperMESH5™ SuperMESH3™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 1000 V 800 V 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V 6Ohm @ 1.25A, 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V 601 pF @ 25 V 130 pF @ 100 V 386 pF @ 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STD3N95K5AG Datenblatt PDF

Laden Sie STD3N95K5AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD3N95K5AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Datenblätter
STD3N95K5AG.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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