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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD4NK60Z-1
STD4NK60Z-1 Image
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STD4NK60Z-1 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD4NK60Z-1
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD4NK60Z-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx4NK60Z(FP,-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 112960

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Anzahl

Spezifikation

STD4NK60Z-1 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD4NK60Z-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD4NK60Z-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STD4NK60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD4NK60Z-1.

Produkteigenschaften STD4NK60Z-1 STD4NK50ZD STD4NK80Z-1 STD4NK50ZD-1
Artikelnummer STD4NK60Z-1 STD4NK50ZD STD4NK80Z-1 STD4NK50ZD-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 800 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 80W (Tc) 45W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK DPAK TO-251 (IPAK) I-PAK
Grundproduktnummer STD4NK60 STD4N STD4NK80 STD4N
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube

STD4NK60Z-1 Datenblatt PDF

Laden Sie STD4NK60Z-1 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD4NK60Z-1 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx4NK60Z(FP,-1).pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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STD4NK60Z-1

STMicroelectronics
32D-STD4NK60Z-1

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