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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD5N80K5
STD5N80K5 Image
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STD5N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD5N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD5N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD5N80K5 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41460

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Anzahl

Spezifikation

STD5N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD5N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD5N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 177 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STD5N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD5N80K5.

Produkteigenschaften STD5N80K5 STD5N95K5 STD5N52K3 STD5N95K3
Artikelnummer STD5N80K5 STD5N95K5 STD5N52K3 STD5N95K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 950 V 525 V 950 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ SuperMESH5™ SuperMESH3™ SuperMESH3™
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V
Grundproduktnummer STD5N80 STD5N95 STD5N52 STD5N95
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 3.5A (Tc) 4.4A (Tc) 4A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 177 pF @ 100 V 220 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V 460 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STD5N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD5N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD5N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Wire Chg 12/Nov/2018.pdf
Datenblätter
STD5N80K5 Datasheet.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD5N80K5

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