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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD5NM60T4
STD5NM60T4 Image
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STD5NM60T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD5NM60T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD5NM60T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31744

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Spezifikation

STD5NM60T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD5NM60T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD5NM60T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 96W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STD5NM60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD5NM60T4.

Produkteigenschaften STD5NM60T4 STD5NM50AG STD5NM50T4 STD5NM60-1
Artikelnummer STD5NM60T4 STD5NM50AG STD5NM50T4 STD5NM60-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundproduktnummer STD5NM60 STD5NM50 STD5NM50 STD5NM60
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 7.5A (Tc) 7.5A (Tc) 5A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK TO-252 (D-Pak) DPAK I-PAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 415 pF @ 100 V 415 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 96W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 96W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Serie MDmesh™ MDmesh™ MDmesh™ MDmesh™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STD5NM60T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD5NM60T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD5NM60T4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Datenblätter
STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD5NM60T4

STMicroelectronics
32D-STD5NM60T4

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