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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD64N4F6AG
STD64N4F6AG Image
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STD64N4F6AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD64N4F6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD64N4F6AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD64N4F6AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 81660

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Anzahl

Spezifikation

STD64N4F6AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD64N4F6AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD64N4F6AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 27A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2415 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc)  
Grundproduktnummer STD64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD64N4F6AG.

Produkteigenschaften STD64N4F6AG STD65N55LF3 STD65N55F3 STD60NF55LAT4
Artikelnummer STD64N4F6AG STD65N55LF3 STD65N55F3 STD60NF55LAT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±15V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ III STripFET™ Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 60A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 27A, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V
Grundproduktnummer STD64 STD65N STD65 STD60
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 55 V 55 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 45 nC @ 10 V 40 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2415 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1950 pF @ 25 V

STD64N4F6AG Datenblatt PDF

Laden Sie STD64N4F6AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD64N4F6AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STD64N4F6AG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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