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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD86N3LH5
STD86N3LH5 Image
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STD86N3LH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD86N3LH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD86N3LH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD86N3LH5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 68560

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Anzahl

Spezifikation

STD86N3LH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD86N3LH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD86N3LH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STD86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD86N3LH5.

Produkteigenschaften STD86N3LH5 STD8N65M5 STD8N60DM2 STD85N3LH5
Artikelnummer STD86N3LH5 STD8N65M5 STD8N60DM2 STD85N3LH5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Grundproduktnummer STD86 STD8N65 STD8 STD85
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 690 pF @ 100 V 375 pF @ 100 V 1850 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc) 80A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 85W (Tc) 70W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 650 V 600 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 40A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 600mOhm @ 4A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V MDmesh™ V MDmesh™ DM2 STripFET™ V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±22V

STD86N3LH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD86N3LH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD86N3LH5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
DPAK Matrix Die Pad Extension 27/Jan/2014.pdf
Datenblätter
STD86N3LH5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD86N3LH5

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