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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD8NM60ND
STD8NM60ND Image
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STD8NM60ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD8NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD8NM60ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx8NM60ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4860

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Anzahl

Spezifikation

STD8NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD8NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD8NM60ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STD8N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD8NM60ND.

Produkteigenschaften STD8NM60ND STD90N02L STD8NF25 STD90N03L
Artikelnummer STD8NM60ND STD90N02L STD8NF25 STD90N03L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 1.8V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 25 V 250 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 3.5A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 420mOhm @ 8A, 10V 5.7mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 72W (Tc) 95W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 50 V 2050 pF @ 16 V 500 pF @ 25 V 2805 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 60A (Tc) 8A (Tc) 80A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer STD8N STD90 STD8NF25 STD90
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie FDmesh™ II STripFET™ III STripFET™ II STripFET™ III

STD8NM60ND Datenblatt PDF

Laden Sie STD8NM60ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD8NM60ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Datenblätter
STx8NM60ND.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD8NM60ND

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