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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD90NS3LLH7
STD90NS3LLH7 Image
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STD90NS3LLH7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD90NS3LLH7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD90NS3LLH7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD90NS3LLH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3870

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Anzahl

Spezifikation

STD90NS3LLH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD90NS3LLH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD90NS3LLH7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ H7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Body)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STD90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD90NS3LLH7.

Produkteigenschaften STD90NS3LLH7 STD90NH02LT4 STD95N3LLH6 STD90N03L-1
Artikelnummer STD90NS3LLH7 STD90NH02LT4 STD95N3LLH6 STD90N03L-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 40A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 4.2mOhm @ 40A, 10V 5.7mOhm @ 40A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 24 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V 2850 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V 2805 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 60A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 57W (Tc) 95W (Tc) 70W (Tc) 95W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V 64 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 32 nC @ 5 V
Serie STripFET™ H7 STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ III
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal Schottky Diode (Body) - - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK I-PAK
Grundproduktnummer STD90 STD90 STD95 STD90

STD90NS3LLH7 Datenblatt PDF

Laden Sie STD90NS3LLH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD90NS3LLH7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
STLYYY 07/Feb/2018.pdf
Datenblätter
STD90NS3LLH.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD90NS3LLH7

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32D-STD90NS3LLH7

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