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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF10N62K3
STF10N62K3 Image
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STF10N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF10N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF10N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx(x)10N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38249

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Spezifikation

STF10N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF10N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF10N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Tc)  
Grundproduktnummer STF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF10N62K3.

Produkteigenschaften STF10N62K3 STF10N60M2 STF10N80K5 STF10N105K5
Artikelnummer STF10N62K3 STF10N60M2 STF10N80K5 STF10N105K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V 400 pF @ 100 V 635 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V 30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 600 V 800 V 1050 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Tc) 7.5A (Tc) 9A (Tc) 6A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STF10 STF10 STF10 STF10
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

STF10N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STF10N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF10N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STx(x)10N62K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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