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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF11N65K3
STF11N65K3 Image
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STF11N65K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF11N65K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF11N65K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF11N65K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3880

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Anzahl

Spezifikation

STF11N65K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF11N65K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF11N65K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STF11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF11N65K3.

Produkteigenschaften STF11N65K3 STF10NM60ND STF11N50M2 STF110N10F7
Artikelnummer STF11N65K3 STF10NM60ND STF11N50M2 STF110N10F7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.6A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V 530mOhm @ 4A, 10V 7mOhm @ 22.5A, 10V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STF11 STF10 STF11 STF11
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie SuperMESH3™ FDmesh™ II MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) 45A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 50 V 540 pF @ 50 V 395 pF @ 100 V 5117 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 500 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STF11N65K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STF11N65K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF11N65K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STF11N65K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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