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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF22N60DM6
STF22N60DM6 Image
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STF22N60DM6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF22N60DM6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF22N60DM6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF22N60DM6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22833

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Spezifikation

STF22N60DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF22N60DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF22N60DM6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ M6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer STF22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF22N60DM6.

Produkteigenschaften STF22N60DM6 STF23NM50N STF21N90K5 STF21NM60N
Artikelnummer STF22N60DM6 STF23NM50N STF21N90K5 STF21NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 7.5A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 299mOhm @ 9A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 17A (Tc) 18.5A (Tc) 17A (Tc)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STF22 STF23 STF21 STF21
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie MDmesh™ M6 MDmesh™ II SuperMESH5™ MDmesh™
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 900 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V 1330 pF @ 50 V 1645 pF @ 100 V 1900 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -

STF22N60DM6 Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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