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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF24NM65N
STF24NM65N Image
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STF24NM65N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF24NM65N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF24NM65N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx24NM65N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

STF24NM65N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF24NM65N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF24NM65N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer STF24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF24NM65N.

Produkteigenschaften STF24NM65N STF24NM60N STF24N60M6 STF25N80K5
Artikelnummer STF24NM65N STF24NM60N STF24N60M6 STF25N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Serie MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ M6 SuperMESH5™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 800 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA
Grundproduktnummer STF24 STF24 STF24 STF25
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tj) 19.5A (Tc)
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 1400 pF @ 50 V 960 pF @ 100 V 1600 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -

STF24NM65N Datenblatt PDF

Laden Sie STF24NM65N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF24NM65N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STx24NM65N.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet OBS 21/Dec/2017.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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STF24NM65N

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32D-STF24NM65N

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