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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF34NM60ND
STF34NM60ND Image
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STF34NM60ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF34NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF34NM60ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx34NM60ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4554

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Spezifikation

STF34NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF34NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF34NM60ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer STF34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF34NM60ND.

Produkteigenschaften STF34NM60ND STF36N60M6 STF33N60M2 STF33N60M6
Artikelnummer STF34NM60ND STF36N60M6 STF33N60M2 STF33N60M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V 1960 pF @ 100 V 1781 pF @ 100 V 1515 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 30A (Tc) 26A (Tc) 25A (Tc)
Grundproduktnummer STF34 STF36 STF33 STF33
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V 44.3 nC @ 10 V 45.5 nC @ 10 V 33.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V 125mOhm @ 13A, 10V 125mOhm @ 12.5A, 10V
Serie FDmesh™ II MDmesh™ M6 MDmesh™ II Plus MDmesh™ M6

STF34NM60ND Datenblatt PDF

Laden Sie STF34NM60ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF34NM60ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Datenblätter
STx34NM60ND.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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