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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF5NK100Z
STF5NK100Z Image
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STF5NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF5NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF5NK100Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx5NK100Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17413

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Anzahl

Spezifikation

STF5NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF5NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF5NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1154 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STF5NK100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF5NK100Z.

Produkteigenschaften STF5NK100Z STF6N60M2 STF6N60DM2 STF5N62K3
Artikelnummer STF5NK100Z STF6N60M2 STF6N60DM2 STF5N62K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.75A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 1.1Ohm @ 2.5A, 10V 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ DM2 SuperMESH3™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 600 V 600 V 620 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 4.5A (Ta) 5A (Tc) 4.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1154 pF @ 25 V 232 pF @ 100 V 274 pF @ 100 V 680 pF @ 50 V
Grundproduktnummer STF5NK100 STF6 STF6 STF5N62
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)

STF5NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STF5NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF5NK100Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Datenblätter
STx5NK100Z.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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