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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF6N62K3
STF6N62K3 Image
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STF6N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF6N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF6N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx6N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49710

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Anzahl

Spezifikation

STF6N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF6N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF6N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF6N62K3.

Produkteigenschaften STF6N62K3 STF6N65K3 STF5NK52ZD STF6N90K5
Artikelnummer STF6N62K3 STF6N65K3 STF5NK52ZD STF6N90K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V 880 pF @ 50 V 529 pF @ 25 V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.4A (Tc) 4.4A (Tc) 6A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Grundproduktnummer STF6 STF6 STF5N STF6
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie SuperMESH3™ SuperMESH3™ SuperMESH™ MDmesh™ K5
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 16.9 nC @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 650 V 520 V 900 V

STF6N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STF6N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF6N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Layout 10/May/2023.pdf
Datenblätter
STx6N62K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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