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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTFI6N62K3
STMicroelectronics
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STFI6N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STFI6N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STFI6N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Datenblatt
STx6N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31530

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Spezifikation

STFI6N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STFI6N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STFI6N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STFI6N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STFI6N62K3.

Produkteigenschaften STFI6N62K3 STFI4N62K3 STFI26NM60N STFI28N60M2
Artikelnummer STFI6N62K3 STFI4N62K3 STFI26NM60N STFI28N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281)
Grundproduktnummer STFI6N STFI4N STFI26N STFI28N
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 25W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 620 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 3.8A (Tc) 20A (Tc) 22A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V 550 pF @ 50 V 1800 pF @ 50 V 1440 pF @ 100 V
Serie SuperMESH3™ SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STFI6N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STFI6N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STFI6N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
STFIYYY 15/Dec/2017.pdf Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STx6N62K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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