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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGB19NC60HDT4
STGB19NC60HDT4 Image
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STGB19NC60HDT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGB19NC60HDT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGB19NC60HDT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 40A 130W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STGx19NC60HD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27863

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Anzahl

Spezifikation

STGB19NC60HDT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB19NC60HDT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB19NC60HDT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A  
Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/97ns  
Schaltenergie 85µJ (on), 189µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie PowerMESH™  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 31 ns  
Leistung - max 130 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 53 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A  
Grundproduktnummer STGB19  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGB19NC60HDT4.

Produkteigenschaften STGB19NC60HDT4 STGB20M65DF2 STGB10NC60KDT4 STGB20NB37LZ
Artikelnummer STGB19NC60HDT4 STGB20M65DF2 STGB10NC60KDT4 STGB20NB37LZ
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Schaltenergie 85µJ (on), 189µJ (off) 140µJ (on), 560µJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off) 11.8mJ (off)
Gate-Ladung 53 nC 63 nC 19 nC 51 nC
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A 2V @ 15V, 20A 2.5V @ 15V, 5A 2V @ 4.5V, 20A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 650 V 600 V 425 V
Leistung - max 130 W 166 W 65 W 200 W
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A 40 A 20 A 40 A
Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V 400V, 20A, 12Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Grundproduktnummer STGB19 STGB20 STGB10 STGB20
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 31 ns 166 ns 22 ns -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/97ns 26ns/108ns 17ns/72ns 2.3µs/2µs
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A 80 A 30 A 80 A
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT-Typ - Trench Field Stop - -
Serie PowerMESH™ M PowerMESH™ PowerMESH™

STGB19NC60HDT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STGB19NC60HDT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGB19NC60HDT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Datenblätter
STGx19NC60HD.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
D2PAK 22/Jun/2016.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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