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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGW10M65DF2
STGW10M65DF2 Image
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STGW10M65DF2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGW10M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGW10M65DF2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STGW10M65DF2 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49620

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Anzahl

Spezifikation

STGW10M65DF2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGW10M65DF2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGW10M65DF2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A  
Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/91ns  
Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie M  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 96 ns  
Leistung - max 115 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 28 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A  
Grundproduktnummer STGW10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGW10M65DF2.

Produkteigenschaften STGW10M65DF2 STGW20H60DF STGP7NC60H STGP8NC60KD
Artikelnummer STGW10M65DF2 STGW20H60DF STGP7NC60H STGP8NC60KD
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tube Tube Tube Tube
Leistung - max 115 W 167 W 80 W 65 W
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/91ns 42.5ns/177ns 18.5ns/72ns 17ns/72ns
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate-Ladung 28 nC 115 nC 35 nC 19 nC
Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) 209µJ (on), 261µJ (off) 95µJ (on), 115µJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off)
Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V 400V, 20A, 10Ohm, 15V 390V, 7A, 10Ohm, 15V 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Serie M - PowerMESH™ PowerMESH™
IGBT-Typ Trench Field Stop Trench Field Stop - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-220 TO-220
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A 2V @ 15V, 20A 2.5V @ 15V, 7A 2.75V @ 15V, 3A
Grundproduktnummer STGW10 STGW20 STGP7 STGP8
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40 A 80 A 50 A 30 A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A 40 A 25 A 15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V 600 V 600 V 600 V
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 96 ns 90 ns - 23.5 ns

STGW10M65DF2 Datenblatt PDF

Laden Sie STGW10M65DF2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGW10M65DF2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STGW10M65DF2 Datasheet.pdf

Lieferung

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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STGW10M65DF2

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32D-STGW10M65DF2

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