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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
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STGW80H65DFB-4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGW80H65DFB-4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGW80H65DFB-4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT BIPO 650V 80A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-4
Datenblatt
STGW80H65DFB-4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

STGW80H65DFB-4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGW80H65DFB-4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGW80H65DFB-4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A  
Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns  
Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-4  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 85 ns  
Leistung - max 469 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-247-4  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 414 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 240 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120 A  
Grundproduktnummer STGW80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGW80H65DFB-4.

Produkteigenschaften STGW80H65DFB-4 STGW60H65DFB-4 STGWA25H120DF2 STGWA19NC60HD
Artikelnummer STGW80H65DFB-4 STGW60H65DFB-4 STGWA25H120DF2 STGWA19NC60HD
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-247-4 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 85 ns 60 ns 303 ns 31 ns
Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 346µJ (on), 1.161mJ (off) 600µJ (on), 700µJ (off) 85µJ (on), 189µJ (off)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A 2V @ 15V, 60A 2.6V @ 15V, 25A 2.5V @ 15V, 12A
Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V 400V, 60A, 10Ohm, 15V 600V, 25A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Leistung - max 469 W 375 W 375 W 208 W
Gate-Ladung 414 nC 306 nC 100 nC 53 nC
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STGW80 STGW60 STGWA25 STGWA19
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns 65ns/261ns 29ns/130ns 25ns/97ns
Strom - Collector Pulsed (Icm) 240 A 240 A 100 A 60 A
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - HB - PowerMESH™
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120 A 80 A 50 A 52 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V 650 V 1200 V 600 V
IGBT-Typ Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-4 TO-247-4 TO-247-3 TO-247 Long Leads

STGW80H65DFB-4 Datenblatt PDF

Laden Sie STGW80H65DFB-4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGW80H65DFB-4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Datenblätter
STGW80H65DFB-4.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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