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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTH110N10F7-6
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STH110N10F7-6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STH110N10F7-6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STH110N10F7-6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
STH110N10F7-2,-6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4290

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Spezifikation

STH110N10F7-6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH110N10F7-6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH110N10F7-6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5117 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer STH110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH110N10F7-6.

Produkteigenschaften STH110N10F7-6 STH145N8F7-2AG STH12N120K5-2 STH140N6F7-2
Artikelnummer STH110N10F7-6 STH145N8F7-2AG STH12N120K5-2 STH140N6F7-2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 200W (Tc) 250W (Tc) 158W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V 4mOhm @ 45A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer STH110 STH145 STH12 STH140
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 90A (Tc) 12A (Tc) 80A (Tc)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MDmesh™ K5 DeepGATE™, STripFET™ VII
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 80 V 1200 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5117 pF @ 50 V 6340 pF @ 40 V 1370 pF @ 100 V 2700 pF @ 25 V

STH110N10F7-6 Datenblatt PDF

Laden Sie STH110N10F7-6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH110N10F7-6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
STripFET 21/Jul/2017.pdf
Datenblätter
STH110N10F7-2,-6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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