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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTH15NB50FI
STMicroelectronics
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STH15NB50FI - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STH15NB50FI
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STH15NB50FI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOWATT-218-3
Datenblatt
ST(H,W)15NB50(FI).pdf
vorrätig: 4780

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Spezifikation

STH15NB50FI Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH15NB50FI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH15NB50FI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOWATT-218  
Serie PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOWATT-218-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STH15N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH15NB50FI.

Produkteigenschaften STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
Artikelnummer STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V 4mOhm @ 45A, 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 2.2mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 200W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 80 V 40 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 181 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse ISOWATT-218 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
Grundproduktnummer STH15N STH145 STH175 STH160
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerMESH™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse ISOWATT-218-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc) 90A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 6340 pF @ 40 V 7735 pF @ 20 V 8130 pF @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STH15NB50FI Datenblatt PDF

Laden Sie STH15NB50FI PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH15NB50FI - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST(H,W)15NB50(FI).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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