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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTH310N10F7-6
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STH310N10F7-6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STH310N10F7-6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STH310N10F7-6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
STH310N10F7-2,-6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10814

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Spezifikation

STH310N10F7-6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH310N10F7-6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH310N10F7-6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 315W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer STH310  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH310N10F7-6.

Produkteigenschaften STH310N10F7-6 STH310N10F7-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2
Artikelnummer STH310N10F7-6 STH310N10F7-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6 H2Pak-2 H²PAK H²PAK
Grundproduktnummer STH310 STH310 STH270 STH270
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V 13600 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V 1.7mOhm @ 80A, 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 193 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 315W (Tc) 315W (Tc) 300W (Tc) 315W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 40 V 80 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

STH310N10F7-6 Datenblatt PDF

Laden Sie STH310N10F7-6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH310N10F7-6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 14/Mar/2023.pdf
Datenblätter
STH310N10F7-2,-6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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