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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL100N6LF6
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL100N6LF6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL100N6LF6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL100N6LF6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL100N6LF6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19947

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Spezifikation

STL100N6LF6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL100N6LF6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL100N6LF6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer STL100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL100N6LF6.

Produkteigenschaften STL100N6LF6 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL100N12F7
Artikelnummer STL100N6LF6 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL100N12F7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 9A (Tc) 5.5A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±22V ±25V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 3300 pF @ 60 V
FET-Merkmal - - - -
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ V MDmesh™ II Plus STripFET™ F7
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STL100 STL10 STL10 STL100
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 600 V 120 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 11A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 660mOhm @ 2.5A, 10V 7.5mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 4.8W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 48W (Tc) 136W (Tc)

STL100N6LF6 Datenblatt PDF

Laden Sie STL100N6LF6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL100N6LF6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Datenblätter
STL100N6LF6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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