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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTL20DN10F7
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL20DN10F7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL20DN10F7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL20DN10F7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL20DN10F7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4560

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Anzahl

Spezifikation

STL20DN10F7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL20DN10F7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL20DN10F7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 62.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 408pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STL20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL20DN10F7.

Produkteigenschaften STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL210N4F7 STL17N3LLH6
Artikelnummer STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL210N4F7 STL17N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 60V 40 V 30 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101 STripFET F7 DeepGATE™, STripFET™ VI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V 22.5nC @ 10V 43 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 408pF @ 50V 670pF @ 25V 3600 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A 120A (Tc) 17A (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 2.5A, 10V 40mOhm @ 4A, 10V 1.6mOhm @ 16A, 10V 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Leistung - max 62.5W 75W - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STL20 STL20 STL210 STL17
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)

STL20DN10F7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL20DN10F7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL20DN10F7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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