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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL35N15F3
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL35N15F3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL35N15F3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL35N15F3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL35N15F3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22008

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Spezifikation

STL35N15F3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL35N15F3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL35N15F3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1905 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer STL35  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL35N15F3.

Produkteigenschaften STL35N15F3 STL33N65M2 STL34N65M5 STL36N55M5
Artikelnummer STL35N15F3 STL33N65M2 STL34N65M5 STL36N55M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STL35 STL33 STL34 STL36
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1905 pF @ 25 V 1790 pF @ 100 V 2700 pF @ 100 V 2670 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 650 V 650 V 550 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 150W (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Serie STripFET™ III MDmesh™ MDmesh™ V MDmesh™ V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49.4 nC @ 10 V 41.5 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.5A, 10V 154mOhm @ 10A, 10V 120mOhm @ 12A, 10V 90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 20A (Tc) 22.5A (Tc) 22.5A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STL35N15F3 Datenblatt PDF

Laden Sie STL35N15F3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL35N15F3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Dec/2013.pdf
Datenblätter
STL35N15F3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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