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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL60N3LLH5
STL60N3LLH5 Image
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STL60N3LLH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL60N3LLH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL60N3LLH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL60N3LLH5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3720

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Anzahl

Spezifikation

STL60N3LLH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL60N3LLH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL60N3LLH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer STL60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL60N3LLH5.

Produkteigenschaften STL60N3LLH5 STL58N3LLH5 STL57N65M5 STL5N80K5
Artikelnummer STL60N3LLH5 STL58N3LLH5 STL57N65M5 STL5N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±22V +22V, -20V ±25V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 8.5A, 10V 9mOhm @ 7.5A, 10V 69mOhm @ 20A, 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) VHV
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 4200 pF @ 100 V 177 pF @ 100 V
Grundproduktnummer STL60 STL58 STL57 STL5N80
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 650 V 800 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) 38W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Serie STripFET™ V Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5 MDmesh™ V MDmesh™ K5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 64A (Tc) 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 3A (Tc)

STL60N3LLH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL60N3LLH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL60N3LLH5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Transfer 31/May/2018.pdf
Datenblätter
STL60N3LLH5.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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