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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTL64DN4F7AG
STMicroelectronics
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STL64DN4F7AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL64DN4F7AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL64DN4F7AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 40A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL64DN4F7AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52870

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Anzahl

Spezifikation

STL64DN4F7AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL64DN4F7AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL64DN4F7AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 637pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STL64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL64DN4F7AG.

Produkteigenschaften STL64DN4F7AG STL65DN3LLH5 STL6251-3C4F STL66N3LLH5
Artikelnummer STL64DN4F7AG STL65DN3LLH5 STL6251-3C4F STL66N3LLH5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics SENTELIC STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 637pF @ 25V 1500pF @ 25V - 1500 pF @ 25 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 30V - 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount, Wettable Flank
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN - 8-PowerVDFN
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V 12nC @ 4.5V - 12 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 65A - 80A (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 STripFET™ V - Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V 6.5mOhm @ 9.5A, 10V - 5.8mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) - PowerFlat™ (5x6)
Leistung - max 57W (Tc) 60W - -
Grundproduktnummer STL64 STL65 - STL66
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -

STL64DN4F7AG Datenblatt PDF

Laden Sie STL64DN4F7AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL64DN4F7AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STL64DN4F7AG.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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