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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL75N3LLZH5
STMicroelectronics
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STL75N3LLZH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL75N3LLZH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL75N3LLZH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL75N3LLZH5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5430

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Spezifikation

STL75N3LLZH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL75N3LLZH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL75N3LLZH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 9.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer STL75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL75N3LLZH5.

Produkteigenschaften STL75N3LLZH5 STL70N4LLF5 STL7N80K5 STL75N8LF6
Artikelnummer STL75N3LLZH5 STL70N4LLF5 STL7N80K5 STL75N8LF6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 70A (Tc) 3.6A (Tc) 75A (Tc)
Grundproduktnummer STL75 STL70 STL7N80 STL75
Vgs (Max) ±18V ±22V ±30V +21V, -16V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 5V @ 100µA 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 72W (Tc) 42W (Tc) 80W (Tc)
Serie STripFET™ V Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V SuperMESH5™ DeepGATE™, STripFET™ VI
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 9.5A, 10V 6.5mOhm @ 9A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 7.4mOhm @ 9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 360 pF @ 100 V 6895 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 800 V 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 13.4 nC @ 10 V 125 nC @ 4.5 V

STL75N3LLZH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL75N3LLZH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL75N3LLZH5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STL75N3LLZH5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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