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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP15N95K5
STP15N95K5 Image
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STP15N95K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP15N95K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP15N95K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx15N95K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18350

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Spezifikation

STP15N95K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP15N95K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP15N95K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STP15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP15N95K5.

Produkteigenschaften STP15N95K5 STP160N3LL STP15NM60N STP15N65M5
Artikelnummer STP15N95K5 STP160N3LL STP15NM60N STP15N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Grundproduktnummer STP15 STP160 STP15N STP15
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 42 nC @ 4.5 V 37 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Serie SuperMESH5™ STripFET™ H6 MDmesh™ II MDmesh™ V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V 299mOhm @ 7A, 10V 340mOhm @ 5.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V 3500 pF @ 25 V 1250 pF @ 50 V 810 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 136W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 30 V 600 V 650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 120A (Tc) 14A (Tc) 11A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

STP15N95K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STP15N95K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP15N95K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
PCN -Verpackung
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Datenblätter
STx15N95K5.pdf

Lieferung

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STP15N95K5

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