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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP20NM60FP
STP20NM60FP Image
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STP20NM60FP - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP20NM60FP
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP20NM60FP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx20NM60(-1,FP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 7580

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Spezifikation

STP20NM60FP Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP20NM60FP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP20NM60FP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STP20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP20NM60FP.

Produkteigenschaften STP20NM60FP STP21NM50N STP21N90K5 STP20NM60
Artikelnummer STP20NM60FP STP21NM50N STP21N90K5 STP20NM60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220 TO-220 TO-220
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 299mOhm @ 9A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 140W (Tc) 250W (Tc) 192W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 18A (Tc) 18.5A (Tc) 20A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 900 V 600 V
Grundproduktnummer STP20 STP21N STP21 STP20
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 1950 pF @ 25 V 1645 pF @ 100 V 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ MDmesh™ II SuperMESH5™ MDmesh™

STP20NM60FP Datenblatt PDF

Laden Sie STP20NM60FP PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP20NM60FP - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STx20NM60(-1,FP).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP20NM60FP

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32D-STP20NM60FP

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