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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP24NM60N
STP24NM60N Image
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STP24NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP24NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP24NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx24NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22743

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Anzahl

Spezifikation

STP24NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP24NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP24NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer STP24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP24NM60N.

Produkteigenschaften STP24NM60N STP24N60DM2 STP25N60M2-EP STP24NF10
Artikelnummer STP24NM60N STP24N60DM2 STP25N60M2-EP STP24NF10
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 50 V 1055 pF @ 100 V 1090 pF @ 100 V 870 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8A, 10V 200mOhm @ 9A, 10V 188mOhm @ 9A, 10V 60mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie MDmesh™ II FDmesh™ II Plus MDmesh™ M2-EP STripFET™ II
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 85W (Tc)
Grundproduktnummer STP24 STP24 STP25 STP24
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 26A (Tc)

STP24NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STP24NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP24NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
PCN -Verpackung
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Datenblätter
STx24NM60N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP24NM60N

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32D-STP24NM60N

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