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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP26N60M2
STP26N60M2 Image
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STP26N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP26N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP26N60M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx26N60M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 30251

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Anzahl

Spezifikation

STP26N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP26N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP26N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) 169W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STP26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP26N60M2.

Produkteigenschaften STP26N60M2 STP260N6F6 STP270N8F7W STP265N6F6AG
Artikelnummer STP26N60M2 STP260N6F6 STP270N8F7W STP265N6F6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 169W (Tc) 300W (Tc) 315W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer STP26 STP260 - STP265
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube - Tube
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 120A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Serie MDmesh™ M2 DeepGATE™, STripFET™ VI - Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 80 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 3mOhm @ 60A, 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 2.85mOhm @ 60A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STP26N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STP26N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP26N60M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx26N60M2.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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STP26N60M2

STMicroelectronics
32D-STP26N60M2

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