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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP5NB40
STP5NB40 Image
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STP5NB40 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP5NB40
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP5NB40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STP5NB40(FP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Anzahl

Spezifikation

STP5NB40 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP5NB40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP5NB40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc)  
Grundproduktnummer STP5N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP5NB40.

Produkteigenschaften STP5NB40 STP5NB60 STP5N95K3 STP5N95K5
Artikelnummer STP5NB40 STP5NB60 STP5N95K3 STP5N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie PowerMESH™ PowerMESH™ SuperMESH3™ SuperMESH5™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc) 5A (Tc) 4A (Tc) 3.5A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 25 V 884 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 220 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.3A, 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 100W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 600 V 950 V 950 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STP5N - STP5N STP5N95
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

STP5NB40 Datenblatt PDF

Laden Sie STP5NB40 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP5NB40 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STP5NB40(FP).pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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32D-STP5NB40

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