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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP6N80K5
STP6N80K5 Image
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STP6N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP6N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP6N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
ST(B,D,I,P)6N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29993

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Spezifikation

STP6N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP6N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP6N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) 30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STP6N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP6N80K5.

Produkteigenschaften STP6N80K5 STP6N90K5 STP6N62K3 STP6N95K5
Artikelnummer STP6N80K5 STP6N90K5 STP6N62K3 STP6N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Grundproduktnummer STP6N80 STP6N90 STP6N62 STP6N95
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 900 V 620 V 950 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ K5 SuperMESH3™ SuperMESH5™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 100 V - 875 pF @ 50 V 450 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 6A (Tc) 5.5A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (Max) 30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V - 34 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V

STP6N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STP6N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP6N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Datenblätter
ST(B,D,I,P)6N80K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STP6N80K5

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