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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP78NF55-08
STMicroelectronics
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STP78NF55-08 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP78NF55-08
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP78NF55-08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V TO-220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
STx78NF55-08.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4290

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Anzahl

Spezifikation

STP78NF55-08 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP78NF55-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP78NF55-08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3740 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STP78N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP78NF55-08.

Produkteigenschaften STP78NF55-08 STP7N105K5 STP7N65M2 STP7N80K5
Artikelnummer STP78NF55-08 STP7N105K5 STP7N65M2 STP7N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie STripFET™ II SuperMESH5™ MDmesh™ SuperMESH5™
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 4A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Grundproduktnummer STP78N STP7N105 STP7N STP7N80
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 1050 V 650 V 800 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3740 pF @ 25 V 380 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V 360 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±30V

STP78NF55-08 Datenblatt PDF

Laden Sie STP78NF55-08 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP78NF55-08 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf
Datenblätter
STx78NF55-08.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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