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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP80NF12
STP80NF12 Image
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STP80NF12 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP80NF12
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP80NF12
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STP80NF12.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21435

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Anzahl

Spezifikation

STP80NF12 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP80NF12 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP80NF12

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STP80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP80NF12.

Produkteigenschaften STP80NF12 STP80NF10FP STP80NF55-08 STP80NF55-06FP
Artikelnummer STP80NF12 STP80NF10FP STP80NF55-08 STP80NF55-06FP
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 38A (Tc) 80A (Tc) 60A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220FP
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 45W (Tc) 300W (Tc) 45W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STP80 STP80 STP80 STP80N
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V 100 V 55 V 55 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ STripFET™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 3850 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 40A, 10V 15mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 40A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

STP80NF12 Datenblatt PDF

Laden Sie STP80NF12 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP80NF12 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STP80NF12.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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32D-STP80NF12

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