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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTR2P3LLH6
STR2P3LLH6 Image
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STR2P3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STR2P3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STR2P3LLH6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
STR2P3LLH6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 238730

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Anzahl

Spezifikation

STR2P3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STR2P3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STR2P3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 350mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 639 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer STR2P3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STR2P3LLH6.

Produkteigenschaften STR2P3LLH6 STR2N2VH5 STR3A151D STR2A153D
Artikelnummer STR2P3LLH6 STR2N2VH5 STR3A151D STR2A153D
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics Sanken Sanken Electric Co., Ltd.
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V - -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 2.3A (Tj) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 639 pF @ 25 V 367 pF @ 16 V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Typ FET P-Channel N-Channel - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-DIP (0.300', 7.62mm) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1A, 10V 30mOhm @ 2A, 4.5V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 4.5 V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 115°C (TA) -
Vgs (Max) ±20V ±8V - -
Grundproduktnummer STR2P3 STR2N2 STR3A151 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Verlustleistung (max) 350mW (Tc) 350mW (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 8-DIP -
Serie STripFET™ H6 STripFET™ V STR3A100 -

STR2P3LLH6 Datenblatt PDF

Laden Sie STR2P3LLH6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STR2P3LLH6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Cover Tape Supplier 16/Sep/2021.pdf
Datenblätter
STR2P3LLH6.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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