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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS3DNE60L
STS3DNE60L Image
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STS3DNE60L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS3DNE60L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS3DNE60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS3DNE60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4460

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Anzahl

Spezifikation

STS3DNE60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS3DNE60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS3DNE60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STS3D  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS3DNE60L.

Produkteigenschaften STS3DNE60L STS3DPF60L STS35-DIS-B STS3621
Artikelnummer STS3DNE60L STS3DPF60L STS35-DIS-B STS3621
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics Sensirion SAMHOP
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 3A - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V 630pF @ 25V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V 120mOhm @ 1.5A, 10V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC - -
Grundproduktnummer STS3D STS3D - -
Leistung - max 2W 2W - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V 15.7nC @ 4.5V - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Serie STripFET™ STripFET™ - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -

STS3DNE60L Datenblatt PDF

Laden Sie STS3DNE60L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS3DNE60L - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS3DNE60L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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STS3DNE60L

STMicroelectronics
32D-STS3DNE60L

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