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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS7P4LLF6
STS7P4LLF6 Image
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STS7P4LLF6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS7P4LLF6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS7P4LLF6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS7P4LLF6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70710

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Anzahl

Spezifikation

STS7P4LLF6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS7P4LLF6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS7P4LLF6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tj)  
Grundproduktnummer STS7P4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS7P4LLF6.

Produkteigenschaften STS7P4LLF6 STS6P3LLH6 STS7PF30L STS6PF30L
Artikelnummer STS7P4LLF6 STS6P3LLH6 STS7PF30L STS6PF30L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II STripFET™
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V 1450 pF @ 24 V 2600 pF @ 25 V 1670 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tj) 6A (Ta) 7A (Tc) 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 3A, 10V 21mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 3A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer STS7P4 STS6P3 STS7P STS6P
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta) 2.7W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STS7P4LLF6 Datenblatt PDF

Laden Sie STS7P4LLF6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS7P4LLF6 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS7P4LLF6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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