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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS8DN3LLH5
STS8DN3LLH5 Image
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STS8DN3LLH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS8DN3LLH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS8DN3LLH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS8DN3LLH5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44820

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Spezifikation

STS8DN3LLH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS8DN3LLH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS8DN3LLH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 5A, 10V  
Leistung - max 2.7W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STS8DN3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS8DN3LLH5.

Produkteigenschaften STS8DN3LLH5 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL STS8C5H30L
Artikelnummer STS8DN3LLH5 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL STS8C5H30L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer STS8DN3 STS8DNF3 STS9D8 STS8C5
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 5A, 10V 20mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A 8A 8A, 9A 8A, 5.4A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Leistung - max 2.7W 1.6W 2W 2W
Serie STripFET™ V STripFET™ II STripFET™ STripFET™ III
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V 800pF @ 25V 857pF @ 25V 857pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 17nC @ 5V 10nC @ 4.5V 10nC @ 5V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STS8DN3LLH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STS8DN3LLH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS8DN3LLH5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS8DN3LLH5.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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