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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS9NF30L
STS9NF30L Image
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STS9NF30L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS9NF30L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS9NF30L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS9NF30L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5180

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Spezifikation

STS9NF30L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS9NF30L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS9NF30L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer STS9NF  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS9NF30L.

Produkteigenschaften STS9NF30L STS9NH3LL STSJ100NH3LL STS8N6LF6AG
Artikelnummer STS9NF30L STS9NH3LL STSJ100NH3LL STS8N6LF6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC-EP 8-SOIC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 25 V 857 pF @ 25 V 4450 pF @ 25 V 1340 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 100A (Tc) 8A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) 3.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.5A, 10V 22mOhm @ 4.5A, 10V 3.5mOhm @ 12.5A, 10V 24mOhm @ 4A, 10V
Vgs (Max) ±18V ±16V ±16V ±20V
Grundproduktnummer STS9NF STS9NH STSJ100N STS8N6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V
Serie STripFET™ II STripFET™ III STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STS9NF30L Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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