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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU2N80K5
STU2N80K5 Image
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STU2N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU2N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU2N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx2N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 78170

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Anzahl

Spezifikation

STU2N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU2N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU2N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) 30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer STU2N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU2N80K5.

Produkteigenschaften STU2N80K5 STU2N62K3 STU27N3LH5 STU2N95K5
Artikelnummer STU2N80K5 STU2N62K3 STU27N3LH5 STU2N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 2.2A (Tc) 27A (Tc) 2A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie SuperMESH5™ SuperMESH3™ STripFET™ V SuperMESH5™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 620 V 30 V 950 V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc) 45W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 10 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 20mOhm @ 13.5A, 10V 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Vgs (Max) 30V ±30V ±22V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V 340 pF @ 50 V 475 pF @ 25 V 105 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundproduktnummer STU2N80 STU2N62 STU27N STU2N95
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA 5V @ 100µA

STU2N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STU2N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU2N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Change 03-May-2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Datenblätter
STx2N80K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STU2N80K5

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