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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW23NM60ND
STW23NM60ND Image
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STW23NM60ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW23NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW23NM60ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx23NM60ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

STW23NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW23NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW23NM60ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STW23N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW23NM60ND.

Produkteigenschaften STW23NM60ND STW24N60M2 STW23NM50N STW23N85K5
Artikelnummer STW23NM60ND STW24N60M2 STW23NM50N STW23N85K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie FDmesh™ II - MDmesh™ II SuperMESH5™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc) 19A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 275mOhm @ 9.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V 1330 pF @ 50 V 1650 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc) 250W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 850 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer STW23N - STW23N STW23

STW23NM60ND Datenblatt PDF

Laden Sie STW23NM60ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW23NM60ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Datenblätter
STx23NM60ND.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STW23NM60ND

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