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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW34NB20
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW34NB20 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW34NB20
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW34NB20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW34NB20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

STW34NB20 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW34NB20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW34NB20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer STW34N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW34NB20.

Produkteigenschaften STW34NB20 STW30NM60ND STW32N65M5 STW31N65M5
Artikelnummer STW34NB20 STW30NM60ND STW32N65M5 STW31N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V 148mOhm @ 11A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie PowerMESH™ FDmesh™ II MDmesh™ V MDmesh™ V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 2800 pF @ 50 V 3320 pF @ 100 V 816 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 650 V 650 V
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STW34N STW30N STW32N STW31
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 25A (Tc) 24A (Tc) 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V

STW34NB20 Datenblatt PDF

Laden Sie STW34NB20 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW34NB20 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STW34NB20.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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