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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW54NM65ND
STW54NM65ND Image
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STW54NM65ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW54NM65ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW54NM65ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW54NM65ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4680

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Spezifikation

STW54NM65ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW54NM65ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW54NM65ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 24.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 350W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 188 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  
Grundproduktnummer STW54  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW54NM65ND.

Produkteigenschaften STW54NM65ND STW50NB20 STW55NM60ND STW55NM60N
Artikelnummer STW54NM65ND STW50NB20 STW55NM60ND STW55NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie FDmesh™ II PowerMESH™ FDmesh™ II MDmesh™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 50 V 3400 pF @ 25 V 5800 pF @ 50 V 5800 pF @ 50 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 350W (Tc) 280W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 188 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 24.5A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer STW54 STW50N STW55N STW55N
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 50A (Tc) 51A (Tc) 51A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 200 V 600 V 600 V

STW54NM65ND Datenblatt PDF

Laden Sie STW54NM65ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW54NM65ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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