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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW58N60DM2AG
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STW58N60DM2AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW58N60DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW58N60DM2AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW58N60DM2AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6370

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Anzahl

Spezifikation

STW58N60DM2AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW58N60DM2AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW58N60DM2AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer STW58  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW58N60DM2AG.

Produkteigenschaften STW58N60DM2AG STW56N65DM2 STW56N60M2-4 STW60N65M5
Artikelnummer STW58N60DM2AG STW56N65DM2 STW56N60M2-4 STW60N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STW58 STW56 STW56 STW60N
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MDmesh™ DM2 MDmesh™ M2 MDmesh™ V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 350W (Tc) 255W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 48A (Tc) 52A (Tc) 46A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V 65mOhm @ 24A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V 59mOhm @ 23A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 100 V 4100 pF @ 100 V 3750 pF @ 100 V 6810 pF @ 100 V

STW58N60DM2AG Datenblatt PDF

Laden Sie STW58N60DM2AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW58N60DM2AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Datenblätter
STW58N60DM2AG.pdf

Lieferung

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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