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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelGPA020A120MN-FD
SemiQ
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GPA020A120MN-FD - SemiQ

Hersteller Artikelnummer
GPA020A120MN-FD
Hersteller
SemiQ
Allelco Artikelnummer
32D-GPA020A120MN-FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
GPA020A120MN-FD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

GPA020A120MN-FD Tech -Spezifikationen
SemiQ - GPA020A120MN-FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie SemiQ - GPA020A120MN-FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller SemiQ  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A  
Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/150ns  
Schaltenergie 2.8mJ (on), 480µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 425 ns  
Leistung - max 223 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 210 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie SemiQ GPA020A120MN-FD.

Produkteigenschaften GPA020A120MN-FD SGH10N60RUFDTU STGF7NC60HD IXGA12N60C
Artikelnummer GPA020A120MN-FD SGH10N60RUFDTU STGF7NC60HD IXGA12N60C
Hersteller SemiQ Fairchild Semiconductor STMicroelectronics IXYS
Schaltenergie 2.8mJ (on), 480µJ (off) 141µJ (on), 215µJ (off) 95µJ (on), 115µJ (off) 90µJ (off)
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 425 ns 60 ns 37 ns -
Gate-Ladung 210 nC 30 nC 35 nC 32 nC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT-Typ Trench Field Stop - - -
Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V 300V, 10A, 20Ohm, 15V 390V, 7A, 10Ohm, 15V 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/150ns 15ns/36ns 18.5ns/72ns 20ns/60ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 600 V 600 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Serie - - PowerMESH™ HiPerFAST™
Paket Tube Bulk Tube Tube
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A 2.8V @ 15V, 10A 2.5V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 12A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A 16 A 10 A 24 A
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A 30 A 50 A 48 A
Leistung - max 223 W 75 W 25 W 100 W
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-220FP TO-263AA

GPA020A120MN-FD Datenblatt PDF

Laden Sie GPA020A120MN-FD PDF -Datenblätter und SemiQ -Dokumentation für GPA020A120MN-FD - SemiQ herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Datenblätter
GPA020A120MN-FD.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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